题目内容

N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置()。

A. vGS为正,vDS为负；
B. vGS为负,vDS为正；
C. vGS为正,vDS为正；
D. vGS为负,vDS为负；

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P沟道耗尽型场效应管的关断电压VGS（off）（）。

A. 大于零
B. 可正可负
C. 等于零
D. 小于零

晶体三极管的关系式iB=f(uBE)|uCE代表三极管的（）特性。

A. 共射极输入
B. 共射极输出
C. 共集电极输出
D. 共基极输入

工作在放大状态的NPN型三极管，其三个电极的电位关系是（）。

A. VE>VB,VC>VB,VE>VC
B. VE>VB,VCVC
C. VB>VE,VB D. VB>VE,VBVC

某三极管的极限参数PCM=120mW,ICM=20 mA,V(BR)CEO=20V。三极管能正常工作的状态是 ( ):

A. IC=10 mA,VCE=14V
B. IC=7 mA,VCE=15V
C. IC=15 mA,VCE=25V
D. IC=30 mA,VCE=10V