关于激光放大器的增益系数G(ν)的错误描述是( )
A. 增益饱和时增益系数随入射光强增大而减小
B. 小信号近似时增益系数与入射光无关
C. 放大器的增益饱和体现为增益曲线的全线下降
D. 非均匀加宽放大器的增益饱和体现为增益曲线的“烧孔”现象
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关于非均匀加宽放大器的增益“烧孔”效应的错误说法是( )
A. 增益“烧孔”效应的产生根源是共振作用的频率选择
B. 增益“烧孔”部位对应频率的放大器增益系数减小
C. 增益“烧孔”部位对应频率的被放大光的光强减小
D. 增益“烧孔”效应表明非均匀加宽放大器的单色性优于均匀加宽放大器
关于自发辐射的正确描述是( )
A. 受激辐射与工作物质的固有属性无关
B. 自发辐射反映工作物质的固有属性
C. 受激吸收与自发辐射无关
D. 受激辐射与自发辐射无关
某激光器工作物质是半导体材料,半导体材料中缺陷较多,则其光谱线型函数为( )
A. 高斯函数线型
B. 洛伦茨函数线型
C. 正弦函数线型
D. 矩形函数线型
为什么要研究自发辐射的谱线加宽现象?
A. 自发辐射会影响受激辐射的偏振特性
B. 自发辐射会影响受激辐射场的强度
C. 自发辐射会影响受激辐射场的频谱特性
D. 自发辐射会影响受激辐射的传播特性