题目内容

外延生长结束时必须进行降温取片。

A. 对
B. 错

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直流溅射和射频溅射都可以用来制备金属薄膜。

A. 对
B. 错

SiCl4的浓度越高,气相外延的生长速率越快。

A. 对
B. 错

外延层必须与衬底是同一物质。

A. 对
B. 错

电阻丝加热蒸发可以淀积难熔金属。

A. 对
B. 错