电力MOSFET是电流驱动型器件,它具有很低的输入阻抗,所需的驱动功率较小,驱动电路相对较简单。
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模块化是将不同电力电子器件封装在一个模块中,这使得装置体积增加、成本上升、可靠性下降。
A. 对
B. 错
新材料器件如碳化硅 (SiC)及氮化镓(GaN)等,与其他半导体材料相比,具有以下特点:高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿强度、低介电常数和高热导率。
A. 对
B. 错
绝缘栅双极晶体管(Insulated-gate Bipolar Transistor--IGBT或IGT)综合了GTR和MOSFET的优点,开关速度高,开关损耗小,通态压降比VDMOSFET低,特别是在电流较大的区域。
A. 对
B. 错
电导调制效应使得电阻RN减小,这样高耐压的IGBT也具有很小的通态压降。
A. 对
B. 错
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