题目内容

以下说法中正确的是

A. 半导体中的缺陷越多,少子寿命越长
B. 向半导体中掺金,会使少子寿命变短
C. 半导体表面复合几率低于体内复合几率
D. 如果没有外部作用影响,半导体就不能从非平衡状态恢复成平衡状态

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向半导体中掺金有利于()复合

复合速率越高,半导体中非平衡少子寿命越()

半导体中复合作用越强,其非平衡少子扩散长度越大

A. 对
B. 错

小注入条件是指注入的非平衡少数载流子浓度远小于半导体中的多子浓度

A. 对
B. 错

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