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IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。

A. 对
B. 错

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相同电压和电流定额时，IGBT安全工作区比GTR大，且具有耐脉冲电流冲击能力。

A. 对
B. 错

IGBT存在擎住效应或自锁效应的原因有

A. 集电极电流过大（静态擎住效应）
B. dUCE/dt过大（动态擎住效应）
C. 温度升高
D. 内部存在寄生晶闸管

At some highly ______ schools, students have as little as a 1 in 10 chance of getting in.

A. optional
B. alternative
C. selective
D. elective

Because of the limited budget, the cost would be _____.

A. increased
B. diminished
C. coincided
D. manifested