题目内容

下列哪种不是单晶硅的制备方法

A. 硅带法
B. 区熔法
C. 直拉单晶法
D. 磁拉法

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下列关于区熔法表述正确的是?

A. 水平区熔法需要坩埚
B. 悬浮区熔法需要坩埚
C. 基座法需要坩埚
D. 焰熔法需要坩埚

晶体硅中杂质氧主要来源于

A. 外界空气的进入
B. 原材料
C. 随加入惰性气体时进入
D. 晶体生长过程中石英坩埚的污染

直拉法生长单晶硅主要步骤（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）。

在晶体生长过程中应尽量减少（）（）杂质的影响