题目内容

二氧化硅的作用包括:

A. surfacepassivation(表面钝化)
B. dopingbarrier(掺杂的掩蔽层)
C. surfacedielectric(表面绝缘)
D. MOSgatesoxide(栅氧)

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二氧化硅作为选择性扩散掩蔽层的条件有:

A. 二氧化硅膜足够厚
B. 二氧化硅性质比较稳定
C. 杂质在二氧化硅中的扩散系数远远小于在硅中的扩散系数
D. 杂质扩散在二氧化硅中的扩散很快

Si-O四面体,每个四面体硅和氧原子比例为:1:2。

A. 对
B. 错

结晶型的二氧化硅四面体有规则地排列,网络致密,例如:石英。

A. 对
B. 错

二氧化硅的性能比氮化硅更加稳定,击穿电压更高。

A. 对
B. 错