题目内容

对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。

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送电线路某杆塔的水平档距是指（）。

A. 相邻档距中两弧垂最低点之间的距离；
B. 耐张段内的平均档距；
C. 杆塔两侧档距长度之和的一半；
D. 耐张段内的代表档距。