题目内容

从场效应管的结构划分，可以分为（）两大类。

A. 耗尽型FET
B. 结型FET
C. 增强型FET
D. 绝缘栅型FET

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为了获得生长发育水平正常值，应采用追踪性调查。

A. 对
B. 错

为了获得生长发育速度正常值，应采用横断面研究。

A. 对
B. 错

制定调查设计时，抽样应重点关注研究对象的代表性和抽样的随机性。

A. 对
B. 错

调查3～6岁幼儿的生长发育状况时，应采用（）为一组

A. 1个月
B. 3个月
C. 6个月
D. 1年