题目内容

主存的主要技术指标有（）。

A. 存储容量
B. 存储速度
C. 存储器带宽
D. 存储单元个数

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半导体存储芯片的译码方式有（）。

A. 线选法
B. 字选法
C. 重合法
D. 位选法

动态DRAM的刷新方式有（）。

A. 集中刷新
B. 分散刷新
C. 异步刷新
D. 同步刷新

DRAM广泛应用于计算机主存的原因有（）。

A. DRAM的集成度高于SRAM
B. DRAM采用行列地址按先后顺序传送，减少了芯片引脚，封装尺寸也减少
C. DRAM的功耗比SRAM小
DRAM的速度比SRAM快

只读存储器有（）。

A. MROM
B. PROM
C. EPROM
D. 闪存