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晶体管能够放大的外部条件是()

A. 发射结正偏,集电结正偏
B. 发射结反偏,集电结反偏
C. 发射机正偏,集电结反偏
D. 发射结反偏,集电结正偏

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(23)与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能( )

A. 高
B. 低
C. 一样
D. 无法判断

温度升高,晶体管输入特性曲线()

A. 右移
B. 左移
C. 一样
D. 无法判断

晶体管共射极及电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是( )

A. 无关
B. 有关
C. 无法判断

(23)对于电压放大器来说,()越小,电路的带负载能力越强。

A. 输入电阻
B. 输出电阻
C. 电压放大倍数

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