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17.羟基磷灰石陶瓷可以用作种植材料。

A. 对
B. 错

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18.高温烤瓷材料的熔点在1200~ 1450 ℃ 之间。

A. 对
B. 错

19.烤瓷材料烧结过程中，低温烧结阶段体积变化最为明显。

A. 对
B. 错

20.金属烤瓷材料和金属的热膨胀系数的差值应在0～0.5×10-5/℃。

A. 对
B. 错

21.金属冠核粗化处理的目的是增加金属和烤瓷材料的机械结合作用。

A. 对
B. 错