题目内容

单晶硅片扩散后单片方阻平均值大于“目标值+10Ω/sq”，进行返工步骤，根据方块电阻的数值及之前扩散工艺的运行状况，编辑返工工艺并进行补扩，补扩后测试方块电阻，合格后流入后道工序，不合格硅片重新制绒，制绒减薄量控制在0.2-0.5g。

A. 对
B. 错

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A. 对
B. 错

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A. 对
B. 错