A. 发射区掺杂浓度最大;以利于发射更多的载流子。 B. 基区掺杂浓度最小,且做得很薄;以缩短载流子在基区扩散的时间。 C. 集电区的面积大;以利于收集载流子。 D. 发射结正偏,集电结反偏。
A. 开关 B. 光敏 C. 硅 D. 锗
A. 放大 B. NPN型 C. 开关 D. PNP型
A. NPN型三极管 B. 结型场效应管(JFET) C. 绝缘栅场效应管(MOS管) D. PNP型三极管
A. 放大倍数 B. 输入电阻 C. 输出电阻 D. 通频带