题目内容

已知某晶体管的PCM=125mW,ICM=125mA,VBRCEO=25V。在下列条件下能正常工作的是 ( )。

A. IC=130mA,VCE=5V
B. IC=50mA,VCE=30V
C. IC=20mA,VCE=15V
D. IC=10mA,VCE=12V

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已知三极管的β=50,若IC=2mA,则该管的IE=( C.(忽略ICEO)。

A. 40μA
B. 2mA
C. 04mA
D. 0

温度减小时,将使晶体三极管参数发生如下变化 ( )。

A. VBE增大,β减小
B. VBE减小,β减小
C. VBE增大,β增大
D. VBE减小,β增大

某晶体三极管的PCM=100mW,ICM=20mA,UBR(CEO)=30V,如果将它接到IC=15mA,UCE=20V的电路中,则该管 ( )。

A. 被击穿
B. 工作正常
C. 功耗太大过热甚至烧坏
D. 截止

已知三极管的β=100,若IB=10μA,则该管的IC=( B.(忽略ICEO)。

A. 10μA
B. 1mA
C. 01mA
D. 0