A. 肖特基缺陷 B. 弗伦克尔缺陷 C. 线缺陷 D. 面缺陷
A. 可以由受主杂质P原子掺杂得到 B. 是以空穴作为多数载流子的 C. 在热平衡状态下的空穴浓度近似等于电子浓度 D. 不可以转变为N型半导体
A. 对 B. 错
A. 1856 B. 1858 C. 1846 D. 1848