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晶体管处于饱和状态下的外部条件是( )

A. 发射结正偏,集电结正偏
B. 发射结正偏,集电结反偏
C. 发射结反偏,集电结反偏
D. 以上都不对

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半导体稳压管的稳压性质是利用( )

A. PN结单向导电性
B. PN结反向击穿特性
C. PN结正向导通特性
D. PN结反向截止

当晶体三极管工作在放大区时,为( )。

A. 发射结和集电结均反偏
B. 发射结正偏,集电结反偏
C. 发射结和集电结均正偏
D. 发射结反偏,集电结正偏

三极管的基极电流IB为10μA时,测得集电极电流IC为1mA。当IB增至30μA时,IC增加2mA。则β=____。

镜像法的关键是确定镜像电荷的个数、 、 。

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