题目内容

采用以下PMOS晶体管模型，如果沟道尺寸W/L=5U/1U，要求饱和区输出电流IDS约为1mA，则过驱动电压VOD （=VGS-VT)应该取多大？ .MODEL p08 PMOS VTO = -0.70 KP = 50U GAMMA = 0.57 LAMBDA = 0.05 + PHI = 0.8 MJ = 0.5 MJSW = 0.35 CGBO = 700P CGSO = 220P CGDO

A. -2.4V
B. -2.6V
C. -2.8V
D. -3.0V

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A. Layer
B. Zoom
C. Line
D. Unit

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A. 需求和质量
B. 价格和质量
C. 需求和供给
D. 供给和质量

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A. 黑色
B. 紫红色
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B. 头足动物
C. 珊瑚
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