A. 氢电导率≤0.15us/cm; B. 二氧化硅≤10Ug/l; C. 钠≤3Ug/l; D. 钠≤10Ug/l。
A. 奥氏体过饱和碳的析出 B. 贫铬区的产生 C. 缝隙腐蚀的结果 D. 钝化膜破坏