将8K×4位的EEPROM扩展成8K×8位的存储器，需要进行（ ）。
A. 字扩展
B. 位扩展
C. 字位扩展
D. 以上均可
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用 1M×4 的 DRAM 芯片通过( )扩展可以获得 4M×8 的存储器。
A. 位
B. 字
C. 字位同时
D. 位或字
4片 16K×8 位的存储芯片可以设计成（ ）容量的存储器。Ⅰ. 64K×8 位 Ⅱ. 32K×4 位 Ⅲ. 32K×16 位 Ⅳ. 16K×32 位
A. Ⅰ、Ⅱ
B. Ⅱ、Ⅲ
C. Ⅰ、Ⅲ
D. Ⅰ、Ⅲ、Ⅳ
在高位交叉编址的多体存储器中，主存地址的（）用于选择存储器。
A. 低位
B. 中位
C. 高位
D. 不一定
一个4体并行低位交叉存储器，每个模块的容量是64K×32位，存取周期为200ns，在以下说法中，（ ）是正确的。
A. 在200ns内，存储器能向CPU提供256位二进制信息
B. 在200ns内，存储器能向CPU提供128位二进制信息
C. 在50ns内，每个模块能向CPU提供32位二进制信息
D. 都不对
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