题目内容

下列说法正确的是（）

A. P型半导体中多数载流子是空穴，没有自由电子。
B. 杂质半导体内少数载流子的浓度取决于掺杂杂质的浓度
C. 杂质半导体内多数载流子的浓度取决于温度
D. 杂质半导体内少数载流子的浓度取决温度

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本征半导体激发产生的自由电子和空穴是成对出现的。

A. 对
B. 错

硅和锗，常用于制作半导体器件，原因是两者最外层轨道上均有4个价电子特殊结构。

A. 对
B. 错

二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相同。

A. 对
B. 错

当温度升高时，二极管的反向特性曲线将上移。

A. 对
B. 错