1. 制造晶体管的方法之一是将杂质原子扩散进入半导体材料如单晶硅中。假如硅片厚度是0.1 cm,在其中每107个硅原子中含有一个磷原子,而在表面上是涂有每107给硅原子中有400个磷原子,计算浓度梯度:(1)每1cm上原子分数;(2)每1 cm 上单位体积的原子分数。硅晶格常数为0.5431 nm。
2. 在制造硅半导体器件中,常使硼扩散到硅单晶硅中,若在1600K 温度下,保持硼在硅单晶表面的浓度恒定(恒定源半无限扩散),要求距离表面10-3cm深度处,硼的浓度是表面浓度的一半,问需要多长时间?[已知D1600℃=8×10-12cm2/s,当erfc(x/2 (Dt)1/2)=0.5 时,x/2 (Dt)1/2≈0.5]
3.Zn2+在ZnS中扩散时,563℃时的扩散系数为3×10-4cm2/s,450℃时的扩散系数为1×10-4cm2/s,求:(1)扩散活化能和D0.(2)750℃时的扩散系数。(3)根据你对结构的了解,从运动的观点和缺陷的产生推断活化能的含义。(4)根据ZnS和ZnO相互类似的结构,预测D随硫分压变化的情况。
滚动轴承有接触角的存在,便可承受()。
A. 周向载荷
B. 轴向载荷
C. 端面载荷
D. 双向载荷