题目内容

以下技术中，可制作双面电池的有（）

A. 铝背场
B. PERC
C. PERT
D. HIT

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以下关于HIT电池，说法正确的有（）

A. 工艺步骤简单
B. 双面率高
C. 利于薄片化
D. 工艺温度低

关于PERC技术，以下说法正确的有（）

A. 在铝背场的电池产线上升级简单
B. 背面增加钝化膜
C. 背面金属与硅局部接触
D. 增加了隧穿氧化层

关于SE技术，以下说法正确的有（）

A. 可用在PERC电池中
B. 可用于PERT电池中
C. 发射极区域重掺杂
D. 轻掺杂区产生光生电池

关于TOPCon技术，说法正确的有（）

A. 隧穿氧化层钝化接触电池
B. 显著降低金属接触区域的复合，同时兼具良好的接触性能
C. N-PERT可叠加该技术，主要在电池正面工艺上进行升级
D. 暂时只处于实验室研发阶段