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在纯的半导体硅中掺入硼,在一定的温度下,当掺入的浓度增加时,费米能级向()移动

A. Ev
B. Ec
C. Ei
D. EF

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pn结正向偏置下,空间电荷层的宽度()。

A. 展宽
B. 变窄
C. 不变
D. 无法判断

半导体功函数是指()

A. 导带底电子变成真空中自由电子所需最低能量
B. 价带顶电子变成真空中自由电子所需最低能量
C. 真空中自由电子最低能级与半导体本征费米能级之差
D. 真空中自由电子最低能级与半导体费米能级之差

在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底(功函数约为4.25eV)上要做出欧姆接触,下面四种金属最适合的是()。

A. In(Wm=3.8eV)
B. Cr(Wm=4.6eV)
C. Au(Wm=4.8eV)
D. Al(Wm=4.2eV)

空穴的本质

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