3)写存储器（向存储器的 00H、 01H、 02H、 03H、 04H 地址单元中分别写入数据 11H、12H、 13H、 14H、 15H。）以向存储器的 00H 写入数据 11H 为例完成“写存储器” 流程图第一步：IN单元置地址，IN=()，LDAR=,RD=,WR=,IOM=,IOR=。第二步：地址打入AR单元，LDAR=,RD=,WR=,IOM=,IOR=;按动ST产生脉冲，地址打入到AR中第三步：IN单元置数据，IN=()，LDAR=,RD=,WR=,IOM=,IOR=。第四步：数据写入MEM，LDAR=,RD=,WR=,IOM=,IOR=；按动ST产生脉冲，即针数据打入到存储器中。