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增强型P沟道MOS管的开启电压UGS(th)>0

A. 对
B. 错

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N沟道结型场效应管的栅源控制电压UGS>0。

A. 对
B. 错

耗尽型MOS管栅源控制电压不加时，沟道已经存在。

A. 对
B. 错

场效应管的低频跨导gm反应了栅源电压对漏极电流控制作用的强弱。

A. 对
B. 错

场效应管用于构成放大电路时，应工作在什么区(）？

A. 可变电阻区
B. 恒流区
C. 夹断区