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共价键结构程度增加，扩散及位错运动（），材料的抗蠕变性能提高。

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蠕变变形主要是通过位错滑移、（）等机理进行的。

A. 电子扩散；
B. 空位扩散流动；
C. 晶格扩散
D. 双极扩散

在陶瓷材料中，滞弹性驰豫最主要的根源是（）。

A. 结晶相
B. 玻璃相
C. 气孔

同种材料当晶粒大小为下列三种时，其中抗蠕变能力大的是（A）。

A. 晶粒尺寸约为1mm
B. 晶粒尺寸约为100μm
C. 晶粒尺寸约为1μm

同种材料当晶粒大小为下列三种时，其中抗断裂强度大的是（）。

A. 晶粒尺寸约为1mm
B. 晶粒尺寸约为100μm
C. 晶粒尺寸约为1μm