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硅单晶氧化速度最快的晶向是()。

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半导体工艺中Si3N4一般采用()进行腐蚀,而SiO2则一般采用()进行腐蚀,Si则一般采用()和()进行腐蚀。

从机理上分析,可以将整个溅射分解为四个过程,分别是()、()、()及()。

集成电路版图设计按设计自动化程度来分有:()和()。

公钥密码体制中仅根据密码算法和加密密钥来确定解密密钥在计算上不可行。()

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