题目内容

已知一个MOS管,若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响,其阈值电压为1V,若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响,其阈值电压为-1V,则

A. 这是增强型NMOS管
B. 这是耗尽型NMOS管
C. 这是增强型PMOS管
D. 这是耗尽型PMOS管

查看答案

搜索结果不匹配？点我反馈

更多问题

理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压( ),衬底掺杂浓度越低,则阈值电压( )

A. 越小越大
B. 越大越小
C. 越大越大
D. 越小越小

增强型的PMOS阈值电压大于0,且当栅压大于阈值电压时导通

A. 对
B. 错

受衬底偏置效应的影响，MOS管的阈值电压会变大

A. 对
B. 错

一般原产地证书的正文包含哪些内容？