题目内容

若是N型Si衬底的MOS结构，当其栅极施加正偏压时，半导体表面附近会形成一层电子积累层。

A. 对
B. 错

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已知MOS结构的硅衬底费米势小于0，则该材料中的电子浓度大于空穴浓度。

A. 对
B. 错

源漏区结深越大，阈值电压越小

A. 对
B. 错

导带一定是空带

A. 对
B. 错

掺杂越多，本征载流子浓度越高

A. 对
B. 错