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已知单个存储体的存储周期为110ns，总线传输周期为10ns,采用低位交叉编址的多模块存储器时,存储体数应( )。大于11D.大于等于1

A. 小于11
B. 等于11
C. 大于11
D. 大于等于11

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缓存的地址映射中，若主存块只可映射到缓存内唯一组中任意一块的位置上，称作（）。

A. 直接映射
B. 全相联映射
C. 组相联映射
D. 混合映射

关于虚拟存储器,下列说法中正确的是()。I.虚拟存储器利用了局部性原理Ⅱ.页式虚拟存储器的页面若很小,主存中存放的页面数较多,导致缺页频率较低,换页次数减少,最终可以提升操作速度。Ⅲ.页式虚拟存储器的页面若很大,主存中存放的页面数较少,导致页面调度频率较高,换页次数增加,降低操作速度V.段式虚拟存储器中,段具有逻辑独立性易于实现程序的编译、管理和保护,也便于多道程序共享

A. I、Ⅲ、IV
B. I、Ⅱ Ⅲ
C. I、Ⅱ、IV
D. Ⅱ、Ⅲ、IV

DRAM的刷新是以( )为单位的。

A. 存储单元
B. 行
C. 列
D. 存储字

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:Ⅰ.DRAM片的集成度比SRAM芯片的高Ⅱ.DRAM片的成本比SRAM芯片的高Ⅲ.DRAM片的速度比SRAM芯片的快Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需要刷新通常情况下,错误的是( )。

A. Ⅰ和Ⅱ
B. Ⅱ和Ⅲ
C. Ⅲ和Ⅳ
D. Ⅰ和Ⅳ