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设某增强型N沟道MOS管开启电压UGS(th)=3.6V,试问当它的栅—源电压UGS为3.62V时,该管处于( )

A. 截止区
B. 导通状态
C.开关状态
D. 可变电阻区

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当光电晶体管的管压降UCE足够大时,其光电流几乎仅仅取决于( )

A. UCE的大小
B. 工作电压
C. 暗电流大小
D. 入射光强度

场效应晶体管的输入电阻远高于三极管的输入电阻,其放大能力也远高于三极管。

A. 对
B. 错

场效应晶体管的内部噪声比三极管大,故它不可用于高灵敏的接收装置。

A. 对
B. 错

有的场效应晶体管的漏极和源极可互换使用,而不影响其工作性能。

A. 对
B. 错

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