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P-Sub的理想MOS结构在耗尽状态时，表面可以导电

A. 对
B. 错

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具有整流特性的是欧姆接触。

A. 对
B. 错

正向电压作用下PN结电容以扩散电容为主

A. 对
B. 错

若形成PN结的原始衬底材料的掺杂浓度越低，则该PN结反偏时所对应的空间电荷区宽度就越宽。

A. 对
B. 错

MOS管属于电压控制型器件，在导电的过程中多子和少子同时参与导电。

A. 对
B. 错