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P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度；

A. 大于
B. 等于
C. 小于

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N型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度；

A. 大于
B. 等于
C. 小于

N型半导体带电，P型半导体带电。

PN结正偏时，多子产生的扩散电流（）少子产生的飘移电流，耗尽层（）。

A. 大于
B. 小于
C. 变宽
D. 变窄

PN结反偏时，多子产生的扩散电流（）少子产生的飘移电流，耗尽层（）。

A. 大于
B. 小于
C. 变宽
D. 变窄