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下列描述正确的是( )。

A. 内电场会促进少子的漂移
B. 内电场会阻止少子的漂移
C. 内电场会促进多子的扩散
D. 内电场会阻止多子的扩散

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下列描述正确的是 ( )。

A. pn结正向导通时,处于低阻态;反向截止时,处于高阻态
B. pn结正向导通时,处于高阻态;反向截止时,处于低阻态
C. pn结正向导通时,处于低阻态;反向击穿时,处于低阻态
D. pn结正向导通时,处于低阻态;反向击穿时,处于高阻态

下列对pn结传感器的描述正确的是( )。

A. pn结型传感器是利用半导体二极管、晶体管、可控硅等的伏安特性与温度的关系做出的温敏器件
B. pn结型传感器具有体积小、反应快的优点
C. pn结型传感器受耐热性能和特性范围的限制,只能用来测量-50~150℃的温度
D. pn结型传感器可以作为电子仪器或家用电器的过热保护装置,也常用于简单的温度显示和控制

下列关于pn结正向压降的温度特性研究实验,说法正确的是( )。

A. 在整个实验过程中注意升温速率要快
B. 在整个实验过程中注意升温速率要慢
C. △U每改变10mV立即读取一组△U和t值,以减小测量误差
D. t每改变5oC立即读取一组△U和t值,以减小测量误差

pn结中的内电场是由n区指向p区。

A. 对
B. 错

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