题目内容

耗尽型MOS管的栅源控制电压应该满足

A. 大于0
B. 小于0
C. 可正可负

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N沟道结型场效应管的栅源控制电压UGS

A. UGS>0
B. UGS<0
C. UGS可正可负

P沟道结型场效应管的栅源控制电压UGS

A. UGS>0
B. UGS<0
C. UGS可正可负

N沟道增强型MOS管导通的条件是

A. UGS>UGS（on）
B. UGS C. UGS>0
D. UGS<0

栅源控制电压为0时，导电沟道存在的场效应管有

A. 结型场效应管
B. 增强型MOS管
C. 耗尽型MOS管