题目内容

对n沟增强型MOSFET而言，源极接地，半导体表面达到强反型后，_在沟道中____进行输运。（）

A. 空穴，由源端到漏端
B. 空穴，由漏端到源端
C. 电子，由源端到漏端
D. 电子，由漏端到源端

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B. 专业性公园
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A. Newmark
B. Nida
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A. 温度
B. 厚度
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