题目内容

题5-4-2：如下折中设计有比逻辑中伪NMOS逻辑门的方法中，错误的是。

A. 减少静态功耗，负载PMOS管要大
B. 减少静态功耗，负载PMOS管要小
C. 减小tpLH, 负载PMOS管要大
D. 获得较大的NML，负载PMOS管要小

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题5-3-4：如下关于CMOS静态互补组合逻辑门的特性描述错误的是。

A. 输出高电平为VDD
B. 输出低电平为GND
C. VDD与GND之间有直流通路
D. 无静态功耗

仓库盘点作业的内容（）

A. 查数量
B. 查质量
C. 查岗位
D. 查安全

对于创业者而言，应该从哪些方面获取垄断优势

A. 专利技术
B. 网络效应
C. 规模经济
D. 品牌优势

已知 z = z∗，则：

A. z 一定为 0
B. z 一定为实数
C. z 一定为纯虚数
D. z 一定不存在