题目内容

关于阻挡层的形成，下面描述正确的是：

A. 当PN结达到动态平衡时，扩散电流和漂移电流形成的净电流为零。
B. 阻挡层也称为空间电荷区、耗尽区、势垒区
C. 硅材料PN结的内建电位差比锗材料PN结的小
D. 阻挡层宽度和掺杂浓度成反比

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关于PN结的伏安特性特性，描述正确的是

A. PN的伏安特性是指PN结的电流和电压的依存关系
B. PN的正向特性，即对PN施加正向电压（P区接正极、N区接负极），阻挡层宽度变小，扩散运动大于漂移运动。
C. PN的反向特性，即对PN施加反向电压（P区接负极、N区接正极），阻挡层宽度变宽，漂移运动大于扩散运动。
D. PN结反偏，即施加反向偏置电压时，反向电流很小且与外加反偏电压无关。

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