高电子迁移率器件（HEMT）的独特性在于（）结构。宽带隙的半导体和窄带隙的半导体接触时，在（）带隙半导体的一侧形成（），载流子被束缚在（）里，这些电子在垂直方向是量子化的，称为（）。这些电子的浓度受到（）的控制，电子迁移率非常（）。