简述RFID中间件的设计方法。

A. 膜两侧K+浓度梯度为零
B. 膜外K+浓度大于膜内
C. 膜两侧电位梯度为
D. 膜内电位较膜外电位相对较正
E. 膜内侧K+的净外流为零

A. 它是膜外为正、膜内为负的电位
B. 接近于钾离子的平衡电位
C. 在不同的细胞，其大小可以不同
D. 它是个稳定的电位
E. 相当于钠离子的平衡电位

A. 锋电位
B. 终板电位
C. 负后电位
D. 正后电位
E. 超射值

A. 电子产品PCB设计——只设计不加分（考核表1）如单片机万年历、数字钟、四路抢答器等
B. 复杂电子产品PCB设计——加分（考核表1）如无线鼠标、U盘电路
C. 电子产品模型设计——模型加分（考核表2）如圣诞树、艺术摆件电路板、单片机万年历、数字钟、四路抢答器等
D. 创新电子产品模型设计——用套件PCB制作成品，模型加分（考核表3）自行购买套件产品
E. 创新电子产品设计制作——自己做电路板加分，用买的元件焊接（考核表4）自行购买套件产品，或四路抢答器、幸运转盘等