A. 正确 B. 错误
A. 缺陷离试件表面越近,形成的漏磁通越小 B. 在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时,其漏磁通密度受缺陷方向影响 C. 交流磁化时,近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小 D. 在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时,其漏磁通密度受磁化方向影响; E. 除A以外都对