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P型半导体的多数载流子是_______,N型半导体的多数载流子为________.

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PN结的内电场方向为由_______型区指向_______型区。

二极管正向特性,硅和锗的死区电压分别为_______V和 _______V。

二极管的最大反向电流值越大,二极管的单向导电性越_______。(好或差)

NPN晶体管的三个导电区域为:发射区,________,__________。

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