关于功率BJT的散热问题,以下说法中正确的是:( )
A. 在一定的温升条件下,热阻RT越小,功率BJT允许的耗散功率PCM越大。
B. 在一定的温升条件下,热阻RT越小,功率BJT允许的耗散功率PCM越小。
C. 在最高允许结温Tj和热阻RT一定的条件下,环境温度Ta愈低,功率BJT允许的耗散功率PCM越大。
D. 在最高允许结温Tj和热阻RT一定的条件下,环境温度Ta愈低,功率BJT允许的耗散功率PCM越小。
关于功率MOS器件,以下说法中正确的是:( )
A. 功率MOS器件也存在二次击穿现象。
B. 功率MOS器件不可能出现二次击穿。
C. 与功率BJT相比,功率MOS器件可承受高电压、大电流、开关速度快,适合高频工作。
D. 与功率BJT相比,功率MOS器件的输入阻抗极高。