题目内容

IGBT是哪两个器件的复合？

A. Power MOSFET
B. GTR
C. SCR
D. GTO

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IGBT是电压控制型器件

A. 对
B. 错

被称为研究袁世凯的开山之作的是由历史学者李宗一撰写的（）。

A. 《袁世凯称帝及其灭亡》
B. 《袁世凯与北洋军阀》
C. 《袁世凯传》
D. 《袁氏当国》

1912年3月10日，袁世凯就任的职务是中华民国（）。

A. 总统
B. 皇帝
C. 正式总统
D. 临时大总统

刺杀宋教仁的杀手是（）。

A. 应夔丞
B. 武士英
C. 洪述祖
D. 赵秉钧