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快闪存储器的写入方法是利用隧道效应进行的。

A. 对
B. 错

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相比晶体管，MOS管的最大特点是功耗低。

A. 对
B. 错

RAM的动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理制成的。

A. 对
B. 错

用存储器可以实现组合逻辑函数。

A. 对
B. 错

将256×8位RAM芯片扩展成1024×8位RAM，需要进行位扩展。

A. 对
B. 错