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N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。

A. 负离子
B. 电子
C. 电子和空穴
D. 正离子

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N沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________。

A. 负值
B. 正值
C. 零
D. 不确定

设增强型MOS管的VTN=1V,当测量到它在电路中的电压值为:VDS=3V,VGS=2V时,可以断定该MOS管工作在饱和区。

A. 对
B. 错

场效应管靠电子和空穴两种载流子导电。

A. 对
B. 错

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