工艺是将具有电活性的杂质,在一定温度下 ，以一定速率扩散到衬底硅的特定位置，得到所需的掺杂浓度及掺杂类型。
掩蔽扩散通常指在硅表面的特定区域进行扩散。在扩散工艺前，需要在硅片表面生长一层二氧化硅层，并用光刻等方法去除需要掺杂区域的二氧化硅以形成扩散掩蔽窗口，杂质通过窗口以垂直硅表面进行扩散，并伴随者平行硅表面的
填隙式扩散指杂质进入晶体后，占据晶格原子的原子空位，在浓度梯度作用下，向邻近原子空位逐次跳跃前进。空位可以自身存在，也可以由杂质原子进入产生。
A. 对
B. 错
替位式扩散指间隙杂质从一个间隙位置到相邻间隙位置的运动。速度大于填隙式扩散。
A. 对
B. 错
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