题目内容

与PNP晶体管输出特性曲线最接近的MOS管是( )

A. N沟道增强型MOS管
B. P沟道增强型MOS管
C. N沟道耗尽型MOS管
D. P沟道耗尽型MOS管

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关于MOS管的临界电压,下列说法正确的是( )

A. N沟道增强型MOS管的开启电压大于零
B. P沟道增强型MOS管的开启电压小于零
C. N沟道耗尽型MOS管的夹断电压小于零
D. P沟道耗尽型MOS管的夹断电压大于零

NMOS增强型场效应管的电路符号中,代表衬底的短线箭头向里指。( )

A. 对
B. 错

PMOS增强型场效应管的电路符号中,代表衬底的短线箭头向外指。( )

A. 对
B. 错

N沟道耗尽型MOS管,是在栅极和衬底之间的绝缘层中掺入大量的正离子,即使栅-源电压为零,衬底表层也存在导电沟道。( )

A. 对
B. 错